半导体光刻胶及关键材料研究和产业化项目位于西安市高陵区西安泾渭工业园陕西飞志区内，场地整体地势较为平坦，周边交通条件良好。该区域所处的普探钎探地貌单元为渭河Ⅱ级阶地，属于典型的河流阶地地貌。

在勘探深度范围内，场地地层自上而下依次由人工填土、湿陷性黄土类土以及其下的粉质黏土、粉土和圆砾层构成。表层人工填土包括杂填土与素填土，分布广泛，结构松散，工程性能较差。其下为连续分布的黄土状土、黄土及古土壤，这些土层具有明显的湿陷特性，是本场地的主要特殊岩土类型。再往下则为粉质黏土、粉土互层及中密状态的圆砾层，地基土在垂向上呈现一定的不均匀性。地下水类型为孔隙潜水，主要赋存于下部砂类土及圆砾层中，水位埋藏较深。根据湿陷性评价结果，该场地被判定为自重湿陷性黄土场地，不同拟建建筑物所对应的地基湿陷等级分别为中等或很严重。场地地下水及土体对混凝土结构具有微腐蚀性，对钢筋混凝土结构中的钢筋亦具微腐蚀性。

施工前必须开展地基普探工作，全面排查场地内是否存在墓穴、旧井、渗坑、空洞或其他地下异常体，并依据相关规范进行处理。基坑开挖完成后，应组织验槽，核实基底持力层实际情况，对发现的地质异常或与勘察资料不符之处，需及时会同相关单位研究解决。本项目部分基坑开挖深度较大，属于超过一定规模且危险性较大的分部分项工程，其土方开挖、支护及降水方案须符陕西普探钎探合国家现行安全技术标准。在基础施工阶段及建筑物使用初期，应布设沉降观测点并持续进行系统观测，直至各观测点沉降趋于稳定。整个施工过程还应严格遵守环境保护、扬尘治理及治污减霾等相关规定，确保工程建设与周边环境协调推进。